FMUSER 1бр. Оригинален нов MRF141G RF мощност MOSFET транзистор -RF транзистор-FMUSER FM / телевизионно излъчване на едно гише

FMUSER 1бр. Оригинален нов MRF141G RF Power MOSFET транзистор Описание Проектиран за широколентови търговски и военни приложения на честоти до 175 MHz. Високата мощност, високото усилване и широколентовите характеристики на това устройство са особено полезни за FM излъчване или честотни ленти на телевизионни канали в твърдо състояние и предаватели и усилватели. Характеристики ● Гарантирана производителност при 175MHz, 28V: ● Изходна мощност: 300W ● Коефициент на усилване: 12dB (14dB тип.) ● Ефективност: 50% ● Ниска термична устойчивост: 0.35 ° C / W ● Тест за издръжливост при номинална изходна мощност ● Пасивирана нитридна матрица за подобрена спецификация за надеждност ● Полярност на транзистора: N-канал ● Технология: Si ● Id - непрекъснат ток на източване: 32 A

детайл

Предишна:MRF148A RF МОЩЕН транзистор с мощност RF

Следващия:BLF878 RF МОЩЕН транзистор с мощност RF

Цена (USD)	Количество (PCS)	Доставка (USD)	Общо (USD)	Начин на доставка	Плащане
168	1	0	168	DHL
				DHL

FMUSER 1бр Оригинален Нов MRF141G RF мощност MOSFET транзистор

Описание

Проектиран за широколентови търговски и военни приложения на честоти до 175 MHz. Високата мощност, висока усилването и широколентовата производителност на това устройство е особено полезно за FM излъчване или честота на телевизионни канали лентови полупроводникови предаватели и усилватели.

Характеристики:

●Гарантирана производителност при 175MHz, 28V:
●Изходна мощност: 300W
●Коефициент на усилване: 12dB (14dB тип)
●Коефициент: 50%
●Ниска термична устойчивост: 0.35 ° C / W
●Тест за здравина при номинална изходна мощност
●Пасивирана с нитрид матрица за подобрена надеждност

спецификация
●Полярност на транзистора: N-канал
●Технологии: Si
●Id - непрекъснат дренажен ток: В 32
●Vds - напрежение на разрушаване на източника: 65 V
●Работна честота: 175 MHz
●Печалба: 12 db
●Изходна мощност: 300 W
●Минимална работна температура: - 65 С
●Максимална работна температура: + 150 ° С
●Монтаж Style: SMD / SMT
●Пакет / калъф: 375-04
●Pd - Разсейване на мощността: 500 W
●Vgs - напрежение на портата: 40 V

●Vgs th - напрежение на прага на източника на портата: 3 V