FMUSER оригинален нов SD2931-11 RF мощност транзистор усилване на висока мощност 20V MOSFET транзистор-RF транзистор-FMUSER FM / TV излъчвател на едно гише

FMUSER оригинален нов SD2931-11 RF силов транзистор с голяма мощност 20V MOSFET транзистор Описание: SD2931-11 е златен метализиран N-канален полеви RF силов транзистор с полеви ефект. Тъй като е електрически идентичен със стандартния MOSFET SD2931, той е предназначен за използване в 50 V dc големи сигнални приложения до 230 MHz. SD2931-11 е механично съвместим със SD2931, но освен това предлага по-добра термична способност (25% по-ниска термична устойчивост), представляваща най-добрите в класа транзистори за ISM приложения, където надеждността и здравината са критични фактори. Характеристики: * Златна метализация * Отлична термична стабилност * Общ източник

детайл

Предишна:FMUSER оригинален нов BLF177 RF транзистор с голяма мощност 50V MOSFET транзистор

Следващия:FMUSER оригинален нов MRFE6VP5600H RF мощност транзистор MOSFET транзистор за 600w FM предавател

Цена (USD)	Количество (PCS)	Доставка (USD)	Общо (USD)	Начин на доставка	Плащане
108	1	35	143	DHL
				DHL

FMUSER оригинален нов SD2931-11 RF транзистор с висока мощност усилване 20V MOSFET транзистор

Описание:
SD2931-11 е златен метализиран N-канал MOS полеви транзистор с полев ефект. същество електрически идентичен на стандартния SD2931 MOSFET, той е предназначен за използване в големи размери 50 V dc сигнални приложения до 230 MHz. SD2931-11 е механично съвместим с SD2931, но предлага в допълнение и по-добра топлина способност (25% по-ниско термично съпротивление), представящи най-добрите в класа транзистори за ISM приложения, където са надеждност и здравина критични фактори.

Характеристики:
* Метализация на златото
* Отлична термична стабилност
* Обща конфигурация на източника
* POUT = 150 W min. с усилване на 14 dB @ 175MHz
* Термично подобрена опаковка за по-ниски
* температури на кръстовището
* GFS и VGS сортират маркирани на единица

Speciafication:

* Серия: SD2931
* Категория на продукта: RF MOSFET транзистори
* Полярност на транзистора: N-канал
* Технология: Si
* Id - непрекъснат дренажен ток: 20 A
* Vds - напрежение на разрушаване на източника: 125 V
* Gain: 15 db
* Изходна мощност: 150 W
* Минимална работна температура: - 65 C
* Максимална работна температура: + 200 C
* Монтажен стил: винтов монтаж
* Опаковка: насипно състояние
* Конфигурация: Един двоен източник
* Височина: 7.11 mm (макс.)
* Дължина: 24.89 mm (Max)
* Работна честота: 230 MHz
* Ширина: 12.83 mm (макс.)
* Режим Канал: Подобрение
* Pd - Разсейване на мощността: 389 W
* Vgs - Напрежение на изхода на портата: 20 V