FMUSER оригинален нов MRF6VP2600H RF мощност транзистор MOSFET транзистор 500MHz 600W страничен N-канален широколентов RF транзистор-FMUSER FM / телевизионно предаване

FMUSER Оригинален нов MRF6VP2600H RF силов транзистор MOSFET транзистор 500MHz 600W Страничен N-канален широколентов обзор Преглед MRF6VP2600H е предназначен предимно за широколентови приложения с честоти до 500 MHz. Устройството е несравнимо и е подходящо за използване в излъчвани приложения. Характеристики * Типична DVB-T OFDM производителност: VDD = 50 волта, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 вата Ср., F = 225 MHz, честотна лента на канала = 7.61 MHz, входен сигнал PAR = 9.3 dB @ 0.01% вероятност на CCDF. Усилване на мощността: 25 dB Ефективност на изтичане: 28.5% ACPR @ 4 MHz Изместване: –61 dBc @ 4 kHz Ширина на честотната лента * Типична импулсна производителност: VDD = 50 волта, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, широчина на импулса = 100

детайл

Предишна:FMUSER оригинален нов MRFE6VP61K25H RF силов транзистор с висока мощност MOSFET транзистор LDMOS за 1000w FM предавател

Следващия:FMUSER оригинален нов BLF178XR RF мощност транзистор MOSFET транзистор LDMOS 1400W HF-128MHz

Цена (USD)	Количество (PCS)	Доставка (USD)	Общо (USD)	Начин на доставка	Плащане
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER Оригинален нов MRF6VP2600H RF Транзистор MOSFET транзистор 500MHz 600W страничен N-канален широколентов достъп

Overview

MRF6VP2600H е предназначен предимно за широколентови приложения с честоти до 500 MHz. Устройството е несравнимо и е подходящо за използване в приложения за излъчване.

Характеристики:

* Типична DVB-T OFDM производителност: VDD = 50 волта, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 вата Ср., F = 225 MHz, честотна лента на канала = 7.61 MHz, входен сигнал PAR = 9.3 dB @ 0.01% вероятност за CCDF. : 25 dB Ефективност на изтичане: 28.5% ACPR при 4 MHz отместване: –61 dBc при 4 kHz честотна лента

* Типична импулсна производителност: VDD = 50 волта, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 вата пик, f = 225 MHz, широчина на импулса = 100 µsec, работен цикъл = 20% Усилване на мощността: 25.3 dB Ефективност на изтичане: 59%

* Възможност за работа с 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 ват пикова мощност, ширина на импулса = 100 µsec, работен цикъл = 20%

* Характеризира се със серийни еквивалентни параметри на импеданса на големия сигнал

* Работен капацитет на CW с подходящо охлаждане

* Квалифициран До максимум 50 VDD работа

* Интегрирана ESD защита

* Проектиран за Push-Pull операция

* По-голям отрицателен обхват на напрежение от врата-източник за подобрена операция от клас "С"

* RoHS съвместим

* В лентата и макарата. R6 Суфикс = 150 единици за 56 мм, 13 инча Reel.

Спецификация

Честота (мин.) (MHz): 2

Честота (Макс.) (MHz): 500

Захранващо напрежение (тип) (V): 50

P1dB (тип) (dBm): 57.8

P1dB (тип) (W): 600

Изходна мощност (тип) (W) @ Интермодулационно ниво при тестовия сигнал: 125.0 @ AVG

Сигнал за тест: OFDM

Усилване на мощността (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Ефективност (тип) (%): 28.5

Термична устойчивост (Spec) (W / W): 0.2

Съответствие: несравнимо

Клас: AB

Технология: LDMOS

Цена (USD)	Количество (PCS)	Доставка (USD)	Общо (USD)	Начин на доставка	Плащане
245	1	35	280	DHL
				DHL

Следващия:FMUSER оригинален нов BLF178XR RF мощност транзистор MOSFET транзистор LDMOS 1400W HF-128MHz

Остави съобщение

Списък на ЛС

Коментари Loading ...