FMUSER Оригинален нов D1029UK RF силов транзистор Мощен MOSFET транзистор Двоен N-канален MOSFET, 35 A, 70 V, 5-пинов DR D1029UK-RF транзистор-FMUSER FM / ТВ излъчване на едно гише

FMUSER Оригинален нов D1029UK RF силов транзистор Мощен MOSFET транзистор Двоен N-канален MOSFET, 35 A, 70 V, 5-пинов DR D1029UK Характеристики ОПРОСТЕН ОПИСАТЕЛ ДИЗАЙН ПОДХОДЯЩ ЗА ПРИЛОЖЕНИЯ ЗА НИСКИ ЧЕРТИ ПРОСТИ БИАС ЦИКЛУГИ НИСКА НИСКА ДИСКА ГОЛЯМА ГОЛЯМА ГОЛЯМА ГРУПА DIM Атрибут / Стойност Тип на канала: N Максимален непрекъснат ток на източване: 13 A Максимално напрежение на източника на източване: 35 V Тип на опаковката: Тип на монтиране DR: Брой на щифтовете за монтиране на панел: 70-канален режим: Подобрение Максимално напрежение на прага на порта: 5 V Максимално разсейване на мощността: 7 W Конфигурация на транзистора: Общ източник Максимално напрежение на порталния източник: -438 V, +20 V Брой елементи на чип: 20 Максимална работна температура: +2 ° C

детайл

Предишна:FMUSER оригинален MRF1K50H RF мощност MOSFET LDMOS транзистор 1500W CW при 50 V над 1.8-500 MHz

Следващия:FMUSER Оригинален нов MRF6VP11KH RF силов транзистор Мощен MOSFET транзистор

Цена (USD)	Количество (PCS)	Доставка (USD)	Общо (USD)	Начин на доставка	Плащане
149	1	0	149	DHL
				DHL

FMUSER Оригинален нов D1029UK RF силов транзисторен захранващ MOSFET транзистор Двоен N-канален MOSFET, 35 A, 70 V, 5-пинов DR D1029UK

Характеристики:
ОПРОСТЕН ПРОЕКТ НА УСИЛВАТЕЛ
ПОДХОДЯЩ ЗА ПРИЛОЖЕНИЯ ЗА ШИРОКИ ЛЕНТИ
НИСКО Crss
ПРОСТИ ВЕРИГИ НА НАПРАВЛЕНИЕ
НИСКИ ШУМ
ВИСОКО ПЕЧЕЛЕНИЕ - 13 db МИНИМУМ

Характеристики

Атрибут / Стойност
Тип канал: N
Максимален непрекъснат източителен ток: 35 A
Максимално напрежение на източника на източване: 70 V
Тип на опаковката: DR
Тип на монтажа: Панелен монтаж
Брой щифтове: 5
Режим на канала: Усъвършенстване
Максимално напрежение на прага на портата: 7V
Максимално разсейване на мощността: 438 W
Конфигурация на транзистора: Общ източник
Максимално напрежение на порталния източник: -20 V, +20 V
Брой елементи на чип: 2
Максимална работна температура: +200 ° C
Материал на транзистора: Si
Височина: 5.08mm
Ширина: 10.16mm
Серия: TetraFET
Дължина: 34.03mm